По слухам, в начале следующего года на рынке дебютируют флагманы Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9 Plus на базе процессора Snapdragon 845. Инсайдеры приписывают ему 10-нм техпроцесс, который уже активно используется в современных чипах. Однако свежие утечки из Twitter и Weibo гласят, что Qualcomm активно работает над Snapdragon 855. Дебют стоит ожидать не ранее 2019 года, а в его основу ляжет 7-нм техпроцесс. Об этом сообщил Роланд Квандт, который ссылается на профиль инженера Qualcomm Джорджа Фэнга. По его словам, в настоящее время Qualcomm занимается драйвером для Snapdragon 845 и Snapdragon 855. Первый носит кодовое название Napali v2.0, а второй — Hana v1.0. Любопытно, что в работе над 7-нм техпроцессом Qualcomm помогает не Samsung, а тайваньская TSMC. Последняя, в свою очередь, инвестировала $20 миллиардов в постройку собственного завода для производства 3-нм чипов. Snapdragon 855 приписывают значительное превосходство над Snapdragon 845: прирост производительности на 30-40%, улучшение работы с искусственным интеллектом и продвинутую энергоэффективность. Устройства на этом чипе будут оснащены наэкранным сканером отпечатков пальцев. Официально Snapdragon 855 могут показать уже в четвёртом квартале 2018 года.